2CR系列硅光电池是 以N型硅为衬底,P型硅为受光面的光电池。 受光面 上的电极称为前极或上电极,为了减少遮光,前极 多作成梳状。 衬底方面的电极称为后极或下电极。
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阅读更多2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池.它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成.当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
阅读更多2019年8月23日 · 硅光电池接收光源角度不同,可能导致其技术指标不同. 为了满足客户需要,深圳市龙信达科技有限公司的标准光源, 规定在A光源下,色温2854k±50k, 照度在10Lux~100Lux下进行测试。
阅读更多2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 ( 很大动态范围内)。 为流过 PN 结的电流,为反向饱和电流,q 为电子电荷,为玻尔兹曼常数,T 为绝对温度,U 是加在P-N 结两端电压。 对于外加正向电压,随 V 指数增长,称正向电流;当外加电压为反向时,在反向击穿电压 之内,反向饱和电流基本是
阅读更多2018年2月15日 · SiOSiO 22 是电介质,这些正离子在是电介质,这些正离子在SiOSiO 22 中是不能移动的,但中是不能移动的,但 是它们的静电感应却可以使是它们的静电感应却可以使PP--SiSi表面产生一个感应电子层。 表面产生一个感应电子层。 这个电子层与这个电子层与NN--SiSi的导电类型相同,可以使的导电类型相同,可以使PP--SiSi表面与表面与NN --SiSi连通起来。
阅读更多2020年9月1日 · 与硅光电池的伏安特性曲线图比较,有两点不同。 一是把硅光电池的伏安特性曲线图中Ⅰ、Ⅱ象限里的图线对 一是把硅光电池的伏安特性曲线图中Ⅰ、Ⅱ象限里的图线对 于纵轴反转了一下,变为上图(a)。
阅读更多2018年1月24日 · 以硅材料为基体的硅光电池,可以使用单晶硅、多晶硅、非晶硅来制造。 单晶硅光电池是目前应用最高广的一种,它有2CR和2DR两种类型,其中2CR型硅光电池采用N型单晶硅制造,2DR型硅光电池刚采用P型单晶硅制造。
阅读更多2018年3月30日 · 第一名种是防"超载"和断路的,也就是当负极电压高于正极电压之后(串联电池组中某块性能下降严重或被单独遮光时,实际流过电池电流超出短路电流,或者是电池损坏导致断路),二极管工作使该电池从串联电路中短路,防止烧毁电池或影响整体功率。
阅读更多2018年3月5日 · 硅光电池(也常称为太阳能电池)是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
阅读更多大面积低温p-Si膜与-Si组成 叠层电池 结构,是提高a-S 光电池 稳定性和 转换效率 的重要途径,可更充分利用 太阳光谱,理论计算表明其效率可在28%以上,将使 硅 基薄膜光电池性能产生突破性进展。
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