半导体表面从n型转 化成p型,产生氧化物-半导体界面处的空穴反型层。 场效应晶体管简 称场效应管。 由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体 管,它属于输入电压控制输出电流的半导体器件,仅由一 种载流子参与导电。
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阅读更多2019年7月25日 · 在本文中,我们介绍了有机金属绝缘体半导体 (MIS) 电容器的工作原理,其中有机半导体未掺杂。 尽管半导体内的电荷浓度较低,但该器件的电容相对于施加的栅极电压表现出变化,从而产生类似于基于掺杂半导体的传统 MIS 电容器的电容-电压特性。
阅读更多2023年4月20日 · 半导体在界面处周期性突然中止,以便允许的电子能级存在于禁带中。 这些允许的能态称为界面态。 与固定氧化层电荷相比,电荷在半导体和界面态之间流动。
阅读更多硅电容器通过利用薄膜半导体技术,可形成平面结构或沟槽结构,可以有效降低产品高度。 比如,0402尺寸(L:0.4mm×W:0.2mm)的产品可以将高度H控制在0.1mm以内。
阅读更多2018年8月1日 · 由于目前电容器供应不足,人们一直在寻找新的策略来减少对电容器的依赖 - 一种解决方案就是使用振荡器来取代谐振器。 振荡器可用于取代电容器 | DigiKey
阅读更多2020年1月27日 · POSCAP电容器是电子行业中一种特殊的电容器类型,由三洋公司开发,它属于贴片式钽高分子有机半导体固态电解电容器。 这种 电容 器具有多项显著的特点,使其在电源电路,尤其是高频率应用中表现优秀。
阅读更多2023年5月10日 · 同时,介绍了MOS管的核心——金属-氧化物-半导体电容模型,包括电容原理、能带理论、阈值电压概念以及电容-电压特性,展示了MOS管在半导体物理中的重要角色。
阅读更多2019年9月17日 · 村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。 这个特点能够适用于 网络 相关( RF 功率放大器 、宽带通信)、高可信赖性用途、医疗、汽车、通信等领域。
阅读更多2022年1月7日 · 将电容器划分为传统电容器与新型微电容器,介绍了传统电容器中铝电解电容器、钽电解电容器、有机薄膜电容器以及陶瓷电容器的结构特点及其生产应用中的性能,着重对用于储能方面的固态微型电容器(金属-绝缘体-金属,金属-绝缘体-半导体)和微型超级电容
阅读更多2024年12月1日 · 相比于两电平的方案,三电平拓扑的解决方案能够降低半导体器件的电压应力和输出电压纹波,因此可以减小电感器的尺寸。 由于三电平拓扑在运行时,开关电压电平是直流母线电压的一半,因此可以使用开关速度更快、成本更低的低压半导体。 1. 什么是三电平拓扑. 常见的三电平的拓扑有三种,分别是二极管钳位型、飞跨电容型、对称式三电平拓扑。 本篇文章以飞
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