2019年6月12日 · 调节"死层"掺杂浓度和厚度,研究"死层"结构参数对太阳能电池IQE曲线、开路电压UOC、短路电流ISC和电池效率E的影响。 本实验采用的是P型太阳能级多晶硅硅片,面积为156 mm×156 mm,电阻率为1~3 Ω·cm,厚度 (190±20) μm。 硅纳米结构通过金属辅助化学刻蚀及碱修饰方法制备,首先将清洗干净的硅片浸没在HF-AgNO3混合溶液中沉积银纳米颗粒;其次将
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了解更多2019年6月12日 · 调节"死层"掺杂浓度和厚度,研究"死层"结构参数对太阳能电池IQE曲线、开路电压UOC、短路电流ISC和电池效率E的影响。 本实验采用的是P型太阳能级多晶硅硅片,面积为156 mm×156 mm,电阻率为1~3 Ω·cm,厚度 (190±20) μm。 硅纳米结构通过金属辅助化学刻蚀及碱修饰方法制备,首先将清洗干净的硅片浸没在HF-AgNO3混合溶液中沉积银纳米颗粒;其次将
阅读更多2012年4月25日 · 为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本,研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。 可以看出,在确保多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下,硅片厚度可以减小到200um,如果继续减小厚度,电池的性能将会下降。
阅读更多2012年4月25日 · 为了进一步降低多晶硅 太阳电池的成本,研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。 可以看出,在确保多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下,硅片厚度可以减小到200um,如果继续减小厚度,电池的性能将会下降。
阅读更多2018年8月21日 · 硅片厚度对多晶硅太阳电池性能的影响摘要: 为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本, 研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、 开路电压和效率的影响。
阅读更多2012年4月27日 · 为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本,研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。 可以看出,在确保多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下,硅片厚度可以减小到200um,如果继续减小厚度,电池的
阅读更多2022年3月24日 · 本文分别针对硅片厚度减薄对 SE-PERC 单晶硅太阳电池 ( 以下简称"太阳电池") 制备过程中湿法刻蚀工艺后硅片的减重、硅片背面抛光效果,以及管式 PECVD 工艺后 SiNx 薄膜的膜厚的影响进行分析。 2.1 湿法刻蚀工艺后硅片的减重. 湿法刻蚀工艺是指利用 HF-HNO3 溶液对硅片背面和边缘进行刻蚀,以去除硅片背面和边缘的扩散层 。 在此过程中,为了使硅片正
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